预加热滑动PECVD系统_1200℃_实验炉，PECVD系统可以用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs材料制备、二硫化钼、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金刚石薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、Zn0纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维、陶瓷电容气氛烧结、非晶态合金、粉体材料气氛烧结、等离子表面改性等离子聚合、等离子清洗等

预加热PECVD设备_1200℃_实验炉，PECVD集成系统是一套完备的集成控制Plasma增强化学气相沉积系统(PECVD)，在传统CVD系统的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，利用等离子体的活性来促进反应，降低CVD反应温度，沉积速度快，成膜质量好。

滑动式CVD设备_1200℃_单/双/多温区 此款设备是一套化学气相沉积生长系统，可包含加热系统、控温系统、滑动装置、质量气体流量控制、真空控制系统、预加热系统等模块，根据工艺要求多模块自由组合，并可扩展升级配置，节约成本。适用于多种经典化学气相沉积工艺。

1200℃,CVD设备,化学气相沉积炉,实验室电炉，CVD集成系统是一套完备的集成控制的CVD系统，控制部分采用了中环自主研发的实验电炉 A10智能控制系统，使得操作更加简便，可实现沉积生长过程自动化集成控制，重复精度高，操作简单，提高效率，降低成本。适用于经典化学气相沉积工艺。

化学气相沉积炉由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。

化学气相沉积设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。