CVD管式炉设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。

PECVD系统配置：1.1200度开启式双温区真空管式炉2.等离子射频电源3.多路质量流量控制系统4.真空系统（可选配中真空或高真空）

CVD管式炉设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

产品用途：此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结真空淬火退火，快速降温等工艺实验。

产品用途：此款CVD系统是专门为在金属箔上生长薄膜而设计，特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究，通过滑动炉实现快速加热和冷却。