预加热滑动PECVD系统_1200℃_实验炉，PECVD系统可以用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs材料制备、二硫化钼、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金刚石薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、Zn0纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维、陶瓷电容气氛烧结、非晶态合金、粉体材料气氛烧结、等离子表面改性等离子聚合、等离子清洗等

预加热PECVD设备_1200℃_实验炉，PECVD集成系统是一套完备的集成控制Plasma增强化学气相沉积系统(PECVD)，在传统CVD系统的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，利用等离子体的活性来促进反应，降低CVD反应温度，沉积速度快，成膜质量好。

1200℃滑动双温区PECVD系统配置：1.1200度开启式双温区真空管式炉2.等离子射频电源3.多路质量流量控制系统4.真空系统（可选配中真空或高真空）。

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。集成型PECVD系统PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系统PECVD-12IH-4Z/G

1200度小型PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。集成型PECVD系统PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系统PECVD-12IH-4Z/G