PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

产品用途：此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结真空淬火退火，快速降温等工艺实验。

产品用途：此款CVD系统是专门为在金属箔上生长薄膜而设计，特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究，通过滑动炉实现快速加热和冷却。

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。集成型PECVD系统PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系统PECVD-12IH-4Z/G

1200度小型PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。集成型PECVD系统PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系统PECVD-12IH-4Z/G

操作便捷性：1、方便的气路快速连接口，简化了流量控制系统与其他设备的链接。2、配置有三种接口（宝塔式接口、双卡套式接口、KF接口），方便组合多种连接方式。