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CVD管式炉系统沉积效率高
更新时间：2024-03-29 点击次数：4712
CVD管式炉广泛适用于高、中、低温CVD工艺，例如：碳纳米管的研制、晶体硅基板镀膜、纳米氧化锌结构的可控生长等等；也可适用于金属材料的扩展焊接以及真空或保护气氛下热处理。专门设计用于高温材料沉积之用。具有温度均匀、控制稳定、温区间温度扰动小、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。
系统设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。CVD成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统。
CVD管式炉系统产品的特点有以下几点：
1、CVD系统沉积效率高;薄膜的成分可控，配比范围大;厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产；
2、CVD系统可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程；
3、CVD系统兼容、常压、微正压多种主流的生长模式；
4、CVD系统可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长；
5、CVD系统使用计算机控制，可以设置多种生长参数。
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