预加热PECVD设备_1200℃_实验炉，PECVD集成系统是一套完备的集成控制Plasma增强化学气相沉积系统(PECVD)，在传统CVD系统的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，利用等离子体的活性来促进反应，降低CVD反应温度，沉积速度快，成膜质量好。

        预加热PECVD设备_1200℃_实验炉，PECVD集成系统是一套完备的集成控制Plasma增强化学气相沉积系统(PECVD)，在传统CVD系统的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，利用等离子体的活性来促进反应，降低CVD反应温度，沉积速度快，成膜质量好。
        PECVD集成系统配有 PLC 微电脑操作系统，控制部分采用了中环自主研发的实验电炉 A10智能集成控制系统，使得操作更加简便，可实现沉积生长过程集成智能化。适用于 Plasma增强化学气相沉积工艺。

PECVD集成系统-产品用途:  

PECVD系统可以用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs材料制备、二硫化钼、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金刚石薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、Zn0纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维、陶瓷电容气氛烧结、非晶态合金、粉体材料气氛烧结、等离子表面改性等离子聚合、等离子清洗等

预加热双温区PECVD集成系统配置:  
1.PLC集成控制系统
2.1200°C开启式双温区真空气氛管式炉
3.预加热开启式管式炉
4.等离子射频电源
5.多路质量流量控制系统
6.真空控制系统(可选配中真空/高真空)
7.电动滑动系统

产品特点：

生长温度低；沉积速率快；成膜质量好，适用范围广，设备简单。

产品参数：预加热PECVD设备_1200℃_实验炉