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多功能模块化CVD系统｜二维材料、薄膜、晶体材料制备一站式解决方案
CVD集成系统-产品介绍:1200℃,CVD设备,化学气相沉积炉,实验室电炉
CVD集成系统是一套完备的集成控制的CVD系统，控制部分采用了中环自主研发的实验电炉 A10智能控制系统，使得操作更加简便，可实现沉积生长过程自动化集成控制，重复精度高，操作简单，提高效率，降低成本。适用于经典化学气相沉积工艺。
产品用途：
CVD集成系统可用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs材料制备、二硫化钼、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、Zn0纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维、陶瓷电容气氛烧结、粉体材料气氛烧结、非晶态合金、金刚石薄膜等
CVD集成系统配置：
1.PLC集成控制系统
2.1200°C开启式管式炉
3.多路质量流量控制系统
4.真空控制系统(可选配中真空/高真空)
5.电动滑轨系统
CVD集成系统参数：1200℃,CVD设备,化学气相沉积炉,实验室电炉
系统名称 | CVD集成系统 | |
名称 | 单温区CVD集成系统 | 双温区CVD集成系统 |
系统型号 | CVD-12H-1-3Z/G-A | CVD-12H-2-3Z/G-A |
最高温度 | 1200℃ | |
加热区长度 | 200mm | 420mm |
恒温区长度 | 70mm | 200mm |
温区 | 单温区 | 双温区 |
石英管管径 | Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm | |
额定功率 | 1.2Kw | 3.2Kw |
额定电压 | 220V | |
滑动距离 | 200mm | 380mm |
滑动方式 | 手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动。当程序完成，炉子按设定的速度滑动) | |
温度控制 | 国产程序控温系统50段程序控温 | |
控制精度 | ±1℃ | |
长期工作温度 | ≤1100℃ | |
气路法兰 | 采用多环密封技术卡箍快速连接 | |
排风冷却装置 | 先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到50℃时，排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温 | |
气体控制方式 | 质量流量计(按键式) | |
气路数量 | 1～3路(可根据具体需要选配气路数量) | |
流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分，可选配)氮气标定 | |
精度 | ±1%F.S | |
响应时间 | 1sec | |
工作温度(流量计) | 5-45℃ | |
工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力) | |
进气方式 | 采用防倒流设计 | |
规格 | 中真空 | |
系统真空范围 | 10-100Pa | |
真空泵 | 双极机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽泣速率4L/S(选配：其它抽速真空泵),出气口 配有油雾过滤器，额定电压220V,功率0.55Kw | |
炉体外形尺寸 | 360×580×555mm | |
系统外形尺寸 | 530×1440×750mm | |
系统总重量 | 230Kg | |
