高温干燥箱，一般高的工作温度500℃以上，工作室尺寸有6种规格，可供各种试品置入使用。高温干燥箱设计用于烘培、干燥、热处理及其他加热，工业上或实验室都可使用(但不适用于带发挥物的物品置入干燥箱，以免引起爆炸)。干燥箱工作温度可由室温升10℃起到至高温度止，在此范围内任意选定工作温度，选定后可借箱内自动控温系统使温度恒温。从高温干燥箱的整体结构来讲，设备本身是不可能出现燃烧爆炸等故障的，因这类设备基本都装有超温保护、自动断电等防护装置的，但如果高温干燥箱箱内积累了一定的可燃性气...

RTP快速退火炉采用的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到*的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。目前设备可用于砷化镓、硅以及其他半导体材料，离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。本设备具有快速升降温、慢速升降温、和长工作时间稳定等特点。也可用于各种半导体材料的CVD工艺的热处理。RTP快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。1....

远红外干燥箱是一种常用的干燥设备，远红外元件被加热后能辐射2—15微米以上远红外线，当它被加热物体吸收时可直接转变为热能，从而获得快速干燥效果。远红外加热管位于远红外干燥箱两侧风道内，可根据物料的要求，温度的使用差异，分为顶部加热，底部加热，左右同时加热等方式。可通过开关分组控制加热功率!电机通过风道强压式送风使烘箱内部温度达到均匀。远红外干燥箱箱体由角钢、薄钢板制成。外壳与工作室间填充硅酸铝保温棉保温与隔热。加热系统装置在工作室的顶部的风道内。水平式循环送风，使之箱内的温度...

升降坩埚炉是由石英坩埚或者氧化炉坩埚，和不锈钢法兰组成的真空升降坩埚炉。其工作温度区间在800℃至1200℃。该坩埚炉的控制系统具有安全可靠，操作简单，控温精度高，保温效果好，炉膛温度均匀性高，可通气氛抽真空等特点。目前设备炉壳用钢板经折边焊接而成。炉膛由一耐火材料制成的箱形整体炉衬构成。加热元件电阻丝绕成螺旋形后穿于炉衬上、下、左、右内的丝槽中。丝与炉膛连通，使加热元件直接向炉膛辐射热量。这种敞开炉衬能有效的加快炉膛的升温速度、高温度控制精度。电炉的炉衬与炉壳之间用硅酸铝纤...

光学热膨胀仪采用阴影光的方法进行样品测定。通过测量CCD探测器上样品的阴影来测量一个方向上样品的尺寸的大小。高强度的LED光束发出平面光，通过一个扩散单元和准直透镜，产生高度均匀的、短波平面光。该光的一部分被样品阻挡。有阴影的光束通过远心光学系统进行精细处理，并由高分辨率的CCD探测器记录。数字边缘检测自动确定阴影的宽度，进而测定样品的尺寸。与传统膨胀仪相比，光学热膨胀仪采用聚焦LED光束，样品的平面性及表面粗糙度不会对测量精度造成显著影响，这样能够显著简化样品制备过程。仪器...

管式电炉适用于实验室或工厂作分析测定研究，高温加热与金属热处理等工作之用。使用时配套的刚玉管恒温自动温度控制器或者与恒温控制器配合来控制炉内温度进行工作，广泛用于陶瓷、冶金、电子、玻璃、化工、机械、耐火材料、新材料开发、特种材料、建材等领域。管式电炉使用时需要注意的一些事项：1、样品的装置和支撑架的热导率应低，以实验样品与装置和支撑架间处于一种绝热状态。2、在温度实验设备完毕测试以后，疾速取走实验样品会对样品产生不用要的应力，并可能得到意想不到的结果。因而，管式炉必需在实验样...

升降坩埚炉采用周期作业，以硅钼棒为加热元件，炉膛额定温度为1600℃，供实验室、工矿企业、科研单位做陶瓷及铀料的烧晶、熔解、分析等高温加热用，也可满足企业作生产设备之用。应用范围：升降坩埚炉可广泛应用于高等院校，科研院所，工矿企业等实验和小批量生产。它以含钼电阻丝或者硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和智能化程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，具有真空装置，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等...

CVD管式炉是一款在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。CVD管式炉的使用方法：准备工作：1、设计升降温曲线，升温速率不得高于10℃/分钟，降温速率应低于15℃/分钟。2、清扫环境。3、每周开始使用时，检查机械泵油线处于标线以上，拆除两端盖，用吸尘器清洁刚玉炉管。4、将样品舟推入刚与管炉膛中部（恒温长度10cm）。5、塞上两块隔热炉塞，使第二个炉塞的末端与炉体侧面平齐。6、装上气炉法兰，确认...